فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

کامپوزیت C/SiC به عنوان یکی از مواد کامپوزیتی زمینه سرامیکی تقویت شده با الیاف کربن به دلیل دانسیته کم گزینه مناسبی برای سازه های دما بالا مورد استفاده در صنایع هوافضا می باشد. به عنوان مثال نازل ماهواره ها از این کامپوزیت و با فرآیند تلقیح پلیمر و پیرولیز (PIP) ساخته می شود. در پژوهش حاضر فعالیت‌های انجام شده در رابطه با ساخت کامپوزیت زمینه‌ی سیلیکون کارباید تقویت شده با پریفرم دو بعدی کربن (C/C-SiC) ارائه شده است. سیکل های متوالی تلقیح پلیمر پلی کربوسیلان (PCS) و پیرولیز برای رسیدن به دانسیته مناسب کامپوزیت انجام شده است. ریز ساختار، دانسیته، استحکام خمشی و تخلخل باز این کامپوزیت مورد بررسی قرار گرفت. نتایج بدست آمده نشان دهنده‌ی استحکام خمشی بالا (MPa 56) و دانسیته پایین (g/cm3 81/1) این کامپوزیت است که دستیابی به تکنولوژی تولید این کامپوزیت ها را با روش PIP اثبات می کند.