فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مطالعه نانوذرات مغناطیسی اکسید آهن با روش‌های مختلف سنتز و پوشش دار شدند. در بین روش‌های مختلف ، روش هم رسوبی بهینه سازی مورد توجه قرار گرفت. نتایج روش هم رسوبی با نتایج روش‌هایی همچون سل ژل، هیدرو ترمال، الکتروشیمیایی، امولسیون مورد مقایسه قرار گرفت. برای مقایسه بین روش‌های مختلف، از آنالیزهایی همچون XRD FTIR، TEM و VSM استفاده شد. نتایج مطلوب حاصل از طیف‌های انجام شده در روش هم رسوبی بهینه سازی، گویای برتری روش بکار گرفته شده در مقایسه با سایر روش‌ها بود. بدین ترتیب که در این روش می‌توان با صرف کمترین هزینه، بهترین مغناطیس اشباع را با کوچک‌ترین اندازه، همراه با بازدارندگی ناچیز بدست آورد. به طوری که در این تحقیق مقدار اندازه نانوذرات پوشش دار شده برابر با 10 نانومتر و مغناطش اشباع برابر با (emu/gr) 98/60 و مقدار نیروی بازدارندگیG26/8 تعیین گردید. همچنین عامل پوششی PEG در مقایسه با عامل پلیمری PVA به واسطه ی پیوند هیدروژنی قوی‌تر، برهمکنش بهتری با سطح نانو ذرات مغناطیسی ایجاد کرده و پوشش مناسب‌تری را به وجود می‌آورد. در ضمن انجام فرآیند سنتز در دمای بالا به سبب انجام کامل واکنش‌ها نتایج مطلوب تری به همراه دارد.