بررسی اثر کاشت سورس - درین بر مقاومت کانال در ترانزیستور سیلیکون روی الماس با عایق دولایه

نویسندگان
حاتمی, وحید ID 1
محمدی, عرفان ID 2
دادخواه, افشین ID 3
دقیقی, آرش ID 4

1 دانشکده فنی و مهندسی - دانشگاه شهرکرد

2 دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی اصفهان

3 دانشکده فنی و مهندسی - دانشگاه شهرکرد

4 دانشکده فنی و مهندسی - دانشگاه شهرکرد

doi
10.61186/jiaeee.22.1.49
چکیده

در این مقاله، به بررسی و شبیه‌سازی جامع مقاومت سورس و درین (Rsd) در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس  با عایق دولایه (DI-SOI) با کانال 22 نانومتر پرداخته می‌شود. برای اولین بار، اثر ناحیه کاشت یونی با ابعاد مختلف (حالت صفر و حالت  کمینه) بر مقاومت سورس و درین به طور کامل بررسی و شبیه‌سازی شده ...

کلیدواژه‌ها
سیلیکون روی عایق, سیلیکون روی الماس, سیلیکون روی الماس با عایق دولایه, مقاومت سورس و درین, مقاومت کانال, ماسفت