شبیه سازی فرآیندهای ساخت سیماس برای ترانزیستور سیلیکون روی الماس دولایه
نویسندگان
1 دانشکده فنی و مهندسی شهرکرد، شهرکرد
2 دانشکده فنی و مهندسی شهرکرد، شهرکرد
3 دانشکده فنی و مهندسی شهرکرد، شهرکرد
doi
10.61186/jiaeee.22.1.57چکیده
در این مقاله برای اولین بار به شبیهسازی ساخت و پیادهسازی فرآیندهای سیماس برای ترانزیستور سیلیکون روی الماس دولایه پرداخته شده است. فرآیندهای ساخت این ترانزیستور متناسب با تکنولوژی سایز ۲۲ نانومتری آن و وجود دو لایهی اصلی عایق در این ساختار، مطابق با استانداردهای ساخت سیماس افزارههای نیمهرسانا پیادهسازی شده است؛ ...
