بررسی و مدل‌سازی اثر ناپایداری در دمای بالا و بایاس منفی (NBTI) و تزریق حامل‌های پرانرژی (HCI) در افزاره‌های چندگیتی نانومتری

نویسندگان
قبادی, نیره ID 1
افضلی کوشا, علی ID 2

1

2

doi
چکیده

در این مقاله با استفاده از روش حل چندبعدی معادلات واکنش-نفوذ (R-D)، مدل‌هایی برای پدیده ناپایداری در دمای بالا و بایاس منفی (NBTI) در یک MOSFET سه گیتی کانال P و پدیده تزریق حامل‌های پرانرژی (HCI) در یک افزاره FinFET سه گیتی توده کانال N ارائه می­شود. سپس نتایج حاصل از مدل با نتایج ...

کلیدواژه‌ها
: ناپایداری در دمای بالا و بایاس منفی (NBTI), تزریق حامل های پرانرژی (HCI), افزاره های چند گیتی, مدل واکنش-نفوذ (R-D), اثر بدنه شناور, معادله پواسون