بررسی و مقایسه مشخصات الکترونیکی ترانزیستورهای نانو سیم بدون پیوند نوعP با مواد کانالSi ,InP, InGaP

نویسندگان
درویش, غفار ID 1
باجلان, فرشاد ID 2
یزدان پناه گوهرریزی, آرش ID 3
فائز, رحیم ID 4

1 دانشکده فنی-دانشگاه آزاد علوم تحقیقات-تهران

2 دانشکده فنی- دانشگاه آزاداسلامی واحد علوم و تحقیقات-تهران

3 دانشکده مهندسی برق-دانشگاه شهید بهشتی-تهران

4 دانشکده مهندسی برق-دانشگاه صنعتی شریف-تهران

doi
چکیده

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین غیر تعادلی، عملکرد ترانزیستورهای بدون پیوند با کانال مواد InGaP، InP و Si مورد بررسی قرار گرفته است. گیت ترانزیستورها از نوع تمام اطراف گیت (GAA) انتخاب شده است. پارامترهایی چون دیبل، شیب زیر آستانه، جریان حالت خاموش، جریان حالت روشن و نسبت ...

کلیدواژه‌ها
ترانزیستورهای بدون پیوند, دیبل, شیب زیر آستانه, جریان خاموشی, نسبت جریان روشنی به خاموشی