ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با ناخالصی‌های سبک در کانال و دی‌الکتریک دو قسمتی

نویسندگان

1 دانشکده انرژی- دانشگاه صنعتی کرمانشاه-کرمانشاه

2 دانشکده انرژی- دانشگاه صنعتی کرمانشاه-کرمانشاه

doi
چکیده

با محدود شدن طول ترانزیستورهای ‌سیلیکونی، ترانزیستورهای نانولوله کربنی به عنوان یک گزینه مناسب برای نسل جدید نانو ترانزیستورهای اثر میدانی به‌ شمار می‌روند. در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی با ناخالصی‌های سبک در کانال و دی‌الکتریک دو قسمتی معرفی شده است. افزاره پیشنهادی با ...