استخراج مدل مداری نزدیک به ولتاژ آستانه برای افزاره های سیلیکون بر روی الماس با عایق دو لایه به منظور محاسبه ولتاژ آستانه
نویسندگان
دقیقی, آرش
ID
2
1 دانشکده فنی و مهندسی- دانشگاه شهرکرد
2 دانشکده فنی و مهندسی- دانشگاه شهرکرد
doi
10.61186/jiaeee.21.1.39چکیده
در این مقاله برای اولین بار مدل خازنی افزاره سیلیکون روی عایق دولایه را بدست می­آوریم. این مدل برای این افزاره نزدیک به ولتاژ آستانه و با طول کانال 22 نانومتر بطور کامل بدست می­آید. با استفاده از این مدل، رابطهی ولتاژ آستانه را برای یک افزارهی ماسفت سیلیکون بر روی ...
