بررسی و شبیهسازی تأثیر میزان غلظت ناخالصی زیرلایه بر زمان تأخیر کلیدزنی در ترانزیستورهای اثر میدان UTBB 22nm سیلیکون روی عایق دولایه
نویسندگان
دقیقی, آرش
ID
1
1 دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
2 دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
doi
10.29252/jiaeee.18.1.37چکیده
در این مقاله ابتدا ساختار ترانزیستورهای UTBB تمام تخلیه سیلیکون روی عایق دو لایه را بررسی میکنیم. اهمیت محاسبه زمان تأخیر برای ترانزیستورهای UTBB تمام تخلیه سیلیکون روی عایق در آنجا دیده میشود که علیرغم فواید بایاس مستقیم زیرلایه همیشه نمیتوان به زیرلایه بایاس مستقیم اعمال کرد و برای داشتن مصالحه ...
