طراحی حافظه مغناطیسی توان پایین در حضور تغییرات فرایند ساخت
نویسندگان
1 دانشکده مهندسی برق، دانشگاه شهید بهشتی، تهران
2 دانشکده مهندسی برق، دانشگاه شهید بهشتی، تهران
doi
چکیده
چکیده – با پیشرفت تکنولوژی و کوچک شدن اندازه­ی ترانزیستورها به ویژه در تکنولوژی­های کمتر از 90 نانومتر، یکی از بزرگترین مشکلات مدارهای CMOS متعارف مصرف توان ایستای بالا به خاطر افزایش نمایی جریان نشتی ترانزیستور­ها است. افزاره­های spintronic از جمله پیوند تونل مغناطیسی ((magnetic tunnel junction MTJ به علت مصرف ...
