تاثیر ترانزیستورهای DTMOS بر عملکرد یک سلول حافظه CAM سه‌ارزشی مبتنی بر ممریستور در کاربردهای توان‌پایین

نویسندگان
توحیدی, مریم ID 1
گندم کار, مجتبی ID 2
مولایی‌زاده, سیده فاطمه ID 3

1 دانشکده‌ی مهندسی و برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی جندی‌شاپور دزفول، دزفول، ایران

2 دانشکده‌ی مهندسی و برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی جندی‌شاپور دزفول، دزفول، ایران

3 دانشکده‌ی مهندسی و برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی جندی‌شاپور دزفول، دزفول، ایران

doi
10.29252/jiaeee.18.1.17
چکیده

در این مقاله، استفاده از ترانزیستورهای DTMOS به جای ترانزیستورهای ماسفت در یک سلول حافظه CAM سه‌ارزشی مبتنی بر ممریستور(MTCAM) پیشنهاد می‌شود. همچنین، تاثیر به‌کارگیری سه روش بایاس مستقیم بدنه در ترانزیستورهای DTMOS بر عملکرد سلول MTCAM در وضعیت نوشتن بررسی می‌شود. روش‌های بایاس بدنه عبارتند از: اتصال‌ مستقیم گیت ...

کلیدواژه‌ها
حافظه ی CAM, منطق سه ارزشی, ممریستور, ترانزیستور DTMOS, بایاس مستقیم بدنه, توان پایین.