یکسوکنندگی در نانو دیود خودسوئیچ گرافنی با استفاده از آلایش گیت های جانبی
نویسندگان
1 دانشکده فنی ومهندسی، واحد ساوه، دانشگاه آزاد اسلامی، ساوه
2 دانشکده فنی ومهندسی، واحد ساوه، دانشگاه آزاد اسلامی، ساوه
doi
چکیده
خواص الکترونیکی و رفتار یکسوسازی دیود­های خود سوئیچ گرافنی با آلایش گیت­های جانبی با اتم­های نیتروژن و بور، با استفاده از روش تنگ بست تابعی چگالی، مورد بررسی قرار گرفت. آلایش گیت­های ادوات، سبب تغییر هدایت الکتریکی نانو نوار گرافنی گیت­ها و کانال نیمه­هادی می­گردد. در نتیجه، اندازه ولتاژ آستانه بایاس مستقیم به ...
