حافظۀ دسترسی تصادفی پویای جاسازی شده بر مبنای سلول بهره 5 ترانزیستوری، به‌صورت کم‌توان و با زمان نگهداری بالا در فناوری‌های فین‌فت کمتر از 22 نانومتر

نویسندگان
سیدزاده ثانی, بهاره ID 1
ابراهیمی, بهزاد ID 2

1 دانشکده مکانیک، برق و کامپیوتر- دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات

2 دانشکده مکانیک، برق و کامپیوتر- دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات

doi
10.52547/jiaeee.19.2.89
چکیده

در این مقاله، یک سلول GC-eDRAM 5 ترانزیستوری در فناوری فین‌فت ارائه می‌گردد. این حافظه، با به‌کارگیری هر دو نوع ترانزیستورهای نوع p و نوع n برای حذف اثر کوپلاژ خازنی، استفاده ترکیبی از ولتاژهای آستانه و نیز بهره‌گیری از اثر پشته جهت بهبود مصرف توان ایستا، طراحی شده است. به منظور دستیابی به زمان ...

کلیدواژه‌ها
حافظۀ دسترسی تصادفی پویای جاسازی شده, سلول بهره, فناوری فین فت, زمان نگهداری داده, توان نگهداری