شبیه سازی نانو ترانزیستور اثر میدان نانونوار گاما گرافاین
نویسندگان
1 دانشگاه صنعتی قوچان
2 گروه برق- واحد بجنورد- گروه برق
doi
10.61882/jiaeee.22.2.176چکیده
در این پژوهش ویژگیهای الکترونیکی نانو نوارهای گرافاین گاما مورد بررسی قرار گرفته و یک نانو ترانزیستور بر پایه آن طراحی و شبیهسازی شده است. در محاسبات از روش نظریه تابعی چگالی و تابع گرین غیر تعادلی به کمک بسته محاسباتی Quantum ATK استفاده شده است. نتایج بدست آمده از ساختار نواری و چگالی ...
