طراحی و ساخت تقویتکننده توان 8 وات با بهره و بازدهی بالا در باند X با استفاده از ترانزیسوتورهای GaN-HEMT به صورت Die برای کاربرد در ارتباطات ماهوارهای
نویسندگان
1 پژوهشکده فناوری ارتباطات-پژوهشگاه ارتباطات و فناوری اطلاعات
2 پژوهشکده فناوری ارتباطات-پژوهشگاه ارتباطات و فناوری اطلاعات
3 پژوهشکده فناوری ارتباطات-پژوهشگاه ارتباطات و فناوری اطلاعات
doi
10.52547/jiaeee.19.3.83چکیده
در این مقاله، طراحی و ساخت تقویتکننده مدار مجتمع ترکیبی مایکروویو (HMIC[i]) با توان بیش از 8 وات و بهره سیگنال بزرگ بیش از dB 50 در بازه فرکانسی GHz 2/11-95/10 برای کاربرد در ارتباطات ماهوارهای ارائه میشود. به منظور دستیابی به بازدهی بالا در این تقویتکننده، دو طبقه انتهایی تقویتکننده با استفاده ...
