طراحی یک تقویتکننده توان فرکانس رادیویی یکپارچه باند X مبتنی بر فنّاوری AlGaN/GaN HEMT
نویسندگان
1 پژوهشگاه هوافضا (وزارت علوم، تحقیقات و فنّاوری)، تهران، ایران
2 گروه مهندسی برق، واحد تبریز ،دانشگاه آزاد اسلامی ،تبریز ،ایران
doi
چکیده
DOR: 98.1000/1735-7152.1398.16.37.0.2.1591.32 در این مقاله یک تقویتکننده توان باند X مبتنی بر فنّاوری مدار مجتمع یکپارچه مایکروویو برای زیرسامانههای مخابراتی ماهوارههای سنجشی طراحی، شبیهسازی و نهایتاً جانمایی شده است. جهت تحقق طرح، از پروسه ترانزیستورهای گالیم نیترید با قابلیت تحرک الکترون بالا با فناوری حداقل طول گیت 500 نانومتر استفاده شده است. ...
