فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

DOR: 98.1000/1735-7152.1398.16.57.0.2.1576.1610  در این مقاله برای اولین بار رابطه‌ی تحلیلی ولتاژ آستانه در یک ترانزیستور ماسفت سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی و طول کانال کوتاه ارائه گردیده است؛ در این ساختار لایه‌ی عایق اول الماس است که بر روی زیرلایه‌ی سیلیکونی قرار دارد و لایه‌ی عایق دوم دی‌اکسیدسیلیکون می‌باشد که ...