طراحی تقویت کننده ترارسانایی چهار طبقه CMOS با مساحت تراشه پایین

نویسندگان
ایزدبخش, علیرضا ID 1
بابازاده داریان, بهنام ID 2
خالصی, حسن ID 3
قدس, وحید ID 4

1 واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران

2 واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران

3 واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران

4 واحد سمنان، دانشگاه آزاد اسلامی، سمنان، ایران

doi
10.52547/jiaeee.18.4.1
چکیده

تقویت‌کننده‌های عملیاتی، یکی از پرکاربردترین بلوک‌های پایه‌ای در سیستم‌های آنالوگ و مختلط هستند. در این مقاله، تقویت کننده عملیاتی ترارسانایی چهار طبقه با سطح اشغال تراشه پایین پیشنهاد شده است. در این ساختار، از یک بلوک تمام تفاضلی همزمان به عنوان طبقه چهارم و شبکه جبران سازی استفاده شده است. جبران¬سازی تقویت¬کننده ...

کلیدواژه‌ها
تقویت کننده ترارسانایی, تقویت کننده چند طبقه, جبران سازی فرکانسی, کاهش سطح تراشه, تکنولوژی CMOS, خازن مبتنی بر ترانزیستور