طراحی تقویت کننده هدایت انتقالی توان پایین، ولتاژ پایین خودبایاس شونده با ترانزیستورهای فین فت
نویسندگان
1 دانشکده مهندسی برق- دانشگاه شهید بهشتی- تهران
2 دانشکده مهندسی برق- دانشگاه شهید بهشتی- تهران
doi
10.52547/jiaeee.18.4.37چکیده
در این مقاله،یک تقویت کننده هدایت انتقالی ولتاژ پایین برای کاربردهای توان پایین با استفاده ازترانزیستورهای گیت مجزا فین فت طراحی و شبیه سازی شده است. در طراحی این مدار برای ایجاد ورودی با دامنه تا ولتاژ تغذیه از روش زوج شبه تفاضلی در طبقه ورودی و روش خودبایاس شونده استفاده شده ...
