طراحی ترانزیستور با قابلیت تحرک الکترون بالا با پیوند ناهمگون GaN/AlGaN با گیت پشتی و لایه جدا کننده ذاتی

نویسندگان
کردرستمی, زهیر ID 1
حسنلی, کوروش ID 2
قادری, آناهیتا ID 3

1 دانشکده مهندسی برق- الکترونیک- دانشگاه صنعتی شیراز- شیراز

2 دانشکده مهندسی برق- الکترونیک- دانشگاه صنعتی شیراز- شیراز

3 دانشکده مهندسی برق- الکترونیک- دانشگاه صنعتی شیراز- شیراز

doi
10.52547/jiaeee.18.4.63
چکیده

در این مقاله، ترانزیستوری با قابلیت تحرک الکترون بالا (HEMT) با استفاده از پیوند ناهمگون GaN/AlGaN با لایه جدا کننده ذاتی و گیت پشتی پیشنهاد گردیده است. اثر گیت پشتی و لایه جدا کننده ذاتی GaN بر  رفتار DC و AC ترانزیستور مورد مطالعه قرار گرفته است. پارامترهای عملکرد مانند جریان درین، هدایت ...

کلیدواژه‌ها
HEMT, GaN, پیوند ناهمگون, گیت پشتی, لایه جدا کننده ذاتی