فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مقاله به تحلیل و طراحی یک ضرب‌کننده فرکانس گسترده موج میلیمتری با استفاده از 4 طبقه پوش-پوش در تکنولوژی 65 nm CMOS پرداخته شده است. در مدار پیشنهادی، تکنیک "تغییر تدریجی امپدانس مشخصه خط انتقال گیت" برای افزایش توان خروجی و بازدهی دو برابر کننده فرکانسی گسترده معرفی و تحلیل شده است. به کمک شبیه سازی، تاثیر افزایش دامنه ولتاژ ورودی بر روی بهبود بازدهی و توان خروجی هارمونیک دوم هر سلول-واحد دوبرابر کننده فرکانس نشان داده شده است. برای افزایش دامنه ولتاژ ورودی سلول‌ها، امپدانس مشخصه خط انتقال گیت به تدریج افزایش یافته است. استفاده از این تکنیک به بهبود توان خروجی به مقدار 6 dB منتج شده است. شبیه سازی یکپارچه الکترومغناطیسی کل مدار، توان خروجی بیش از -5 dBm در بازه فرکانسی 60 تا 214GHz به ازای توان 12dBm ورودی و توان مصرفی 24mW را بدست می دهد.کلید‌واژهضرب‌کننده فرکانس گسترده، زوج‌ پوش-پوش، بالون مارچاند، فناوری CMOS ,موج میلیمتری