ضریب تضعیف جرمی و مدهای فونونی نوری نانوخوشه‌های اکسید گرافن عامل‌دار شده با سیستئین

نویسندگان

1 گروه فیزیک دانشگاه نیشابور ، نیشابور، ایران

2 دانشکده فیزیک دانشگاه یزد ، صفائیه، بلوار دانشگاه ، یزد، ایران

3 گروه فیزیک دانشگاه نیشابور ، نیشابور، ایران

4 گروه فیزیک دانشگاه نیشابور ، نیشابور، ایران

5 دانشکده فیزیک دانشگاه یزد ، صفائیه، بلوار دانشگاه ، یزد، ایران

doi
10.22034/ns.2025.2056610.1384
چکیده

در این پژوهش، نانوخوشه‌های اکسید گرافن با عامل پوششی سیستئین با اندازه ذرات در حدود ۱ نانومتر سنتز و بررسی شدند. طیف‌نگاری گاما نشان داد که این نانوخوشه‌ها دارای ضرایب تضعیف جرمی بالایی در محدوده انرژی‌های مختلف پرتوهای گاما هستند که نشان‌دهنده پتانسیل آن‌ها در کاربردهای حفاظتی اشعه‌های پرانرژی است. بررسی طیف‌سنجی مادون قرمز تبدیل فوریه (FTIR) تأیید کرد که حضور سیستئین منجر به اصلاح خواص شیمیایی نانوخوشه‌ها، از جمله تغییر در پیوندهای موجود و افزایش ترکیب نیتروژن و گوگرد در ساختار گرافنی می‌شود. چنین اصلاحاتی می‌توانند بر روی خواص الکترونیکی و اپتیکی ماده تأثیر بسزایی داشته باشند. علاوه بر این، با استفاده از روش کرامرز-کرونینگ، ضرایب اپتیکی شامل ضریب شکست، ضریب خاموشی و ضریب دی‌الکتریک این نانوخوشه‌ها تعیین شدند. تحلیل دقیق این ضرایب، امکان استخراج مدهای فونونی نوری عرضی (TO) و طولی (LO) را فراهم کرد که به‌ترتیب در cm⁻¹ 1670 و cm⁻¹ 1730 قرار دارند. این نتایج، تأییدکننده تأثیر حضور لیگاند سیستئین بر ساختار الکترونی و اپتیکی نانوخوشه‌های اکسید گرافن است.