حسگر مگنتوالکتریک بر پایه جفت شدگی لایه نازک آلیاژ گالفنول طرحدار شده و آلومینیم نیترید

نویسندگان

1 پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، تهران

2 پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، تهران

3 دانشکده فیزیک، دانشگاه شهید بهشتی، تهران

doi
چکیده

حسگرهای میدان مغناطیسی برپایه ساختارهای مغناطوالکتریک کاربردهای مختلفی در صنایع از قبیل حسگرهای زیستی می‌توانند داشته باشند. با استفاده از شبیه سازی بر پایه روش المان محدود، می‌توان حسگرهایی با فرکانس کاری و حساسیت مناسب طراحی کرد که مسیر را برای ساخت حسگرهای بیومغناطیسی هموار می‌کند. در همین راستا در این مقاله به منظور کنترل مغناطش اشباع و ذخیره نفوذ پذیری از ساختارهای مغناطوالکتریک بر پایه نانوساختار طرحدار شده آلیاژ گالفنول به عنوان لایه مغناطوتنگش و آلومینیم نیترید به عنوان لایه پیزوالکتریک استفاده کردیم. ساختار طراحی شده بصورت تیرکی بوده و دارای ضریب مغناطوالکتریک V/cm.Oe 5850 در فرکانس تشدید 9/3051 هرتز بوده و توانایی اندازه گیری میدان مغناطیسی در محدوده یک پیکوتسلا دارد.