فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مقاله یک مبدل سطح ولتاژ کم توان و سریع با محدوده تبدیل ولتاژ زیر آستانه به ولتاژ متعارف تکنولوژی هدف ارائه شده است. سریع و کم توان بودن مبدل پیشنهادی به دلیل ساختار اتصال متقابل پشته‌ای بهبود یافته است. به منظور کاهش بیشتر توان ناشی از جریان اتصال کوتاه، در خروجی از یک معکوس‌کننده با ورودی‌های مجزا استفاده شده است. برای کاهش سوئینگ ولتاژ در حلقه فیدبک، و ایجاد اختلاف بین زمان روشن و خاموش شدن ترانزیستور‌های خروجی از ترانزیستور‌های اتصال دیودی در حلقه فیدبک استفاده شده است. نتایج شبیه‌سازی Post-layout در تکنولوژی استاندارد 180 nm CMOS نشان می‌دهند که مبدل پیشنهادی می‌تواند در تبدیل 4/0 ولت به 8/1 ولت در فرکانس یک مگاهرتز با توان مصرفی 23/89 نانووات و تأخیر انتشار 68/23 نانوثانیه صورت صحیح عمل نماید. این مدار با توجه به توان کم و رنج ولتاژهای کارکردی برای کاربردهای برچسب های اینترنت اشیا بخصوص در بخش جداسازی نواحی کم مصرف و با ولتاژ پایین از بخش های پر مصرف و با ولتاژ بالا قابل استفاده است.