فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

این پژوهش، مطالعه‌ای بر روی نانو ترانزیستور اثر میدان-خازن منفی بر پایه ماده فروالکتریک دو بعدی α-In2Se3 به منظور کاهش تاب زیر آستانه ارائه می‌دهد. گذار فاز و همچنین دمای کوری تک لایه α-In2Se3 با استفاده از شبیه‌سازی دینامیک مولکولی و مونت-کارلو بررسی شد. محاسبات نشان داد دمای کوری α-In2Se3 بالاتر از دمای اتاق است و بنابراین این ماده انتخابی برای کاربرد در نانو ترانزیستور اثر میدان-خازن منفی امیدوار کننده می‌باشد. در ادامه، مشخصات ترانزیستور اثر میدان-خازن منفی با کانال MoS2 و ماده فروالکتریک α-In2Se3با استفاده از استخراج ثابت‌های لاندائو این فروالکتریک ارزیابی شد. در این ترانزیستور تاب زیر آستانه در حدود mV/dec 59-27 برای فروالکتریک با ضخامت nm 5-25 بدست آمد، که می‌توان با استفاده از لایه عایق نازک‌تر با مقادیر بالای κ تاب زیر آستانه را کاهش بیشتری داد.