فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

نانوساختار دی سلنید مولیبدن MoSe2 با ساختار دوبعدی شش ضلعی، به علت ویژگی‌های منحصر به فرد از جمله جذب بالا و گاف نواری مستقیم انتخاب مناسبی برای کاربری‌های اپتوالکترونیکی می‌باشد. یکی از روش‌های افزایش جذب در این تک لایه‌، قرار دادن آن به صورت نقص در ساختارهای بلور فوتونی یک بعدی می‌باشد. قرارگیری نقص‌ها در ساختار بلور فوتونی به صورت متقارن یا نامتقارن می‌باشد که بر تعداد و فرکانس مدهای نقص اثر می‌گذارد. در این مقاله برای رسیدن به جذب بالا و تنظیم پذیری طول موج مد نقص، تاثیر عواملی مانند ضخامت لایه‌ی نقص، ضخامت لایه‌ها و دوره تناوب در بلورهای فوتونی نقص دار متقارن و نامتقارن بررسی شده است. در ساختارهای متقارن بهینه به یک مد نقص با جذب کامل در وسط گاف نواری و در ساختارهای نامتقارن به دو مد نقص با جذب در حدود 70% و 80% در لبه‌های گاف نواری دست یافته‌ایم. با تغییر ضخامت لایه‌ی نقص و طول موج طراحی، قابلیت تنظیم پذیری طول موج مد نقص وجود دارد که برای کاربری در آشکارسازها و فیلترهای جاذب مفید ‌می‌باشد.