فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مقاله، یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدان فلز-نیمه­هادی کربید سیلیسیم ارائه می­شود. در ساختار پیشنهادی قسمت بالای کانال در زیر گیت از نیم­رسانا با چگالی ناخالصی خیلی کم و در کف کانال از نیم­رسانا با چگالی ناخالصی بالا استفاده شده است. مهمترین مشخصه­ های الکتریکی ترانزیستور پیشنهادی از قبیل ولتاژ شکست، جریان درین، ولتاژ آستانه، میدان الکتریکی و خازن گیت شبیه­سازی و با این مشخصه­ها در ترانزیستور مرسوم مقایسه شده است. با توجه به نتایج شبیه سازی، ساختار پیشنهادی باعث کم شدن بیشینه­ی میدان الکتریکی در کانال و در نتیجه افزایش ولتاژ شکست از 127 ولت به 136.5 ولت نسبت به ساختار مرسوم می ­شود. همچنین، ساختار جدید باعث افزایش 30 درصدی جریان اشباع درین نسبت به ساختار اولیه می­ شود. چگالی ناخالصی بالا در کف کانال باعث شیفت منفی در ولتاژ آستانه در ترانزیستور ارائه شده می ­شود. با توجه به نتایج به­دست آمده و افزایش جریان درین و ولتاژ شکست، ترانزیستور پیشنهادی می ­تواند در کاربردهای با توان بالاتر مورد استفاده قرار گیرد.