فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این پژوهش، به بررسی اثر کاشت یون نیتروژن بر ساختار کریستالی و سطحی فیلم نازک اکسید مس پرداخته شده است. بدین منظور لایه نازک به ضخامت  nm 150 به روش کندوپاش از جنس اکسید مس بر زیر لایه سیلیکون لایه­ نشانی شد. سپس، عمل کاشت یون نیتروژن با استفاده از شتاب دهنده الکترواستاتیک با انرژی keV 50 به مدت3 ثانیه و با شار 1014× 2 ذره بر سانتی­متر مربع انجام شد. جریان اندازه­ گیری در این آزمایش با استفاده از دستگاه نمایه­ سنج و براش آن به تابع گاوسی در حد چند میلی ­آمپر به دست آمد. از نتایج آنالیزهای حاصل از XRD مشاهده شد که تعداد قله­­ ها و ساختار بلوری تغییر کرده است. نتایج آنالیز SEM  به هم ریختن ساختار سطحی بر اثر کاشت را نشان می­ دهد و همچنین، از اندازه­ گیری پارامترهای ناهمواری  AFM مشخص شد که لایه نازک اکسید مس پس از کاشت یون یکنواخت­ تر شده و ناهمواری یا زمختی آن کاهش پیدا کرده است. با اندازه­گیری گاف انرژی اکسید مس مشخص شد که پس از کاشت یون مقدار آن از eV 26/2 به eV 34/2 افزایش پیدا کرده است که می­ توان برای ساخت انواع حسگرها گاف انرژی آنرا تغییر داد.