سنتز و بهینهسازی عملکرد جوهرنانوذرات Cu2ZnSnS4 برپایه حلال غیرقطبی به عنوان لایه انتقالدهنده حفره در سلولهای خورشیدی پروسکایتی
نویسندگان
1 دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران، ایران
2 هیأت علمی/دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف تهران
3 پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه صنعتی شریف، تهران، ایران
4 دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران، ایران
doi
چکیده
در سلول خورشیدی پروسکایتی، لایه جاذب بین لایه های انتقال دهنده الکترون (ETM) و حفره (HTM) قرار می گیرد. لایههای ETM و HTM، نقش مهمی در عملکرد فتوولتاییکی ایفا می کنند. تاکنون بهترین بازدهی با استفاده از spiro-OMeTAD به عنوان HTM حاصل شده است. اما قیمت بالا و فرایند سنتز پیچیده ممکن است که کاربرد انبوه آن را محدود نماید. یک نیم رسانا معدنی مثل Cu2ZnSnS4(CZTS)، بدلیل تحرک پذیری بالا، پایداری مناسب، قابلیت سنتز و لایهنشانی به روش محلول ساده و ارزان، می تواند جایگزین امیدبخشی باشد. در این مطالعه، خمیر کربنی دما پایین به همراه نانوجوهر CZTS برای انتقال و جمع آوری حامل های حفره استفاده شد. همچنین، از ترکیب CIS (CuInS2) به عنوان HTM مرجع استفاده شد. نانوذرات CZTS سنتز شده به روش گرمادهی تدریجی دارای فاز بلوری ورتزیت و یک ترکیب غنی از Zn هستند. حضور لایه HTM در فصل مشترک پروسکایت/کربن، اساساً تأثیر بسزایی بر روی بهبود عملکرد فتوولتاییکی دارد. سرعت چرخش و تعداد دفعات لایهنشانی نانوجوهر به روش پوشش دهی چرخشی مورد بررسی قرار گرفت. در حالت دو بار ترسیب نانوجوهر، حداکثر بازدهی 12/61، 13/38، 10/74 و 11/40 % بترتیب برای سرعت چرخش 3000 ، 4000 ، 5000 و rpm 6000 بدست آمد. افزایش تعداد لایههای HTM باعث کاهش بازدهی و چگالی جریان میشود. شرایط بهینه برای سرعت چرخش rpm4000 و دو بار ترسیب جوهر، بدست آمد. افزاره مبتنی برCIS به عنوان مرجع، بازدهی 5/15% را نشان داد. عملکرد بهتر افزاره مبتنی بر CIS در مقایسه با CZTS، تحت تأثیر نقصهای ذاتی کمتر و کیفیت پوشش دهی سطح پروسکایت است که با آنالیزهای EIS، PL، VOC decay و AFM تأیید شد.