بررسی و مقایسه پارامترهای اتصالات نوری با اتصالات الکتریکی در مدولاتورها و آشکارسازهای نوری درون تراشه
نویسندگان
1 دانشجوی دکتری -مهندسی برق الکترونیک-دانشکده برق و کامپیوتر-دانشگاه تربیت مدرس -تهران-ایران
2 دانشیار و عضو هیئت علمی دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی شریف، تهران، ایران
3 استادیار گروه قطعات فوتونیک مجتمع، دانشگاه فنی درسدن، درسدن،آلمان
doi
چکیده
در این مقاله دو نوع سیستم اتصالات الکتریکی به صورت خط انتقال نزدیک به سرعت نور و اتصالات نوری درون تراشه را برای پارامترهای مهم تاخیر و توان مصرفی بر حسب طول اتصالات در گره تکنولوژی 22 نانومتر CMOS را مقایسه میکنیم و طول بحرانی را برای پارامترهای تاخیر و توان مصرفی بدست میآوریم. با این مقایسه میتوان مشاهده کرد که تاخیر در سیستم اتصالات الکتریکی با روش خط انتقال نزدیک به سرعت نور حتی در طولهای بزرگ و خارج از تراشه میتواند کمتر از اتصالات نوری باشد، اما توان مصرفی در اتصالات نوری درون تراشه در طولهای بزرگتر از طول بحرانی کمتر از اتصالات الکتریکی حتی در حالت بهینه توان است. همچنین با مقایسه پارامترهای مختلف انواع ساختارهای مدولاتورهای الکتروشکست (تزریق بار و تخلیه بار) و انواع مدولاتورهای الکتروجذب و همچنین با مقایسه پارامترهای انواع آشکارسازهای نوری بهترین پیشنهاد برای مدولاتور و آشکارساز نوری برای کار درون تراشه را معرفی میکنیم.
