تهیه و مطالعه پوشش نانوساختار روی سولفید با استفاده (GLAD) از روش رشد زاویهای خراشان
نویسندگان
1 دانشکده فیزیک دانشگاه سمنان، سمنان، ایران
2 دانشکده فیزیک دانشگاه سمنان، سمنان، ایران
3 دانشکده فیزیک دانشگاه سمنان، سمنان، ایران
4 دانشکده فیزیک، دانشگاه سمنان، سمنان، ایران
5 دانشکده فیزیک دانشگاه سمنان، سمنان، ایران
doi
چکیده
در این پژوهش، تاثیر لایه های روی سولفید به صورت زیگزاگ بر ضریب شکست، ضریب خاموشی و درصد عبور و مقایسه آن با لایهنشانی صفر درجه همین ماده پرداخته شده است. لایههای نازک روی سولفید با روش لایه نشانی تبخیر فیزیکی بر زیر لایه شیشه لایهنشانی شدهاند. با بررسی ویژگی نوری این نمونهها مشاهده شده است که با این روش لایه نشانی(زیگزاگ)، عبور نوری، ضریب جذب و ضریب خاموشی نسبت به حالت صفردرجه افزایش و ضریب شکست آن کاهش پیدا کرد. این نتیجه تاثیر روش GLAD در ویژگی نوری لایه های نازک را نشان می دهد.
