سلول حافظه SRAM دوازده ترانزیستوری، مبتنی بر CNTFET با طول کانال 22 نانومتر بر پایه اشمیت تریگر
نویسندگان
1 دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
2 کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
doi
چکیده
دراین مقاله با استفاده از ترانزیستورهای نانوتیوبی با طول کانال 22نانومتر، یک سلول حافظه موقت استاتیک دوازده ترانزیستوری پیشنهاد شده است. در این مدار با استفاده از معکوسکننده اشمیتتریگری، احتمال ایجاد خطای خواندن، کاهش یافته است. همچنین با دوتاییکردن ترانزیستورهای بالاکش و پایینکش، حاشیه امنیت نویز مدار بهینه شده و توان نشتی نیز کاهش یافته است. زمان عملیاتهای خواندن و نوشتن، با جداسازی مسیرهای فرمان خواندن و نوشتن، همچنین تک خروجی کردن سلول در حالت خواندن و سرعت سوئیچ بالایی که ترانزیستورهای نانوتیوبی دارند، کنترل شده است. با شبیهسازی مدار توسط نرمافزار HSPICE در شرایط دمایی 25درجه سلسیوس و تغذیه 500 میلیولت، حاشیه امنیت نویز مدار در حالت نگهداری، 214 میلی ولت بدست آمده است و در حالت خواندن با توجه به قابلیت معکوسکننده اشمیتتریگری، حاشیه امنیت نویز مدار به مقدار131 میلی ولت رسیده است. توان نشتی مدار در حالت ایستا، با توجه به کاربرد ترانزیستورهای نانوتیوبی تاحد 013/0 نانو وات کاهش یافته است. مقایسه نتایج شبیهسازی با دیگر مدارهای ارائه شده در مقالات دیگر، نشان می دهد که مدار پیشنهادی قابلیت خوبی درحفظ اطلاعات داشته وبا توجه به توان نشتی کمی که دارد، میتواند در مدارات الکترونیکی مجتمع با توان مصرفی پایین مورد استفاده قرار گیرد.
