فرآیند تکثیر چند اکسیتون در نانوساختارهای مرکب سیلیکان-ژرمانیوم
نویسندگان
1 هسته پژوهشی نانو پلاسمو فوتونیک، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران
2 هسته پژوهشی نانو پلاسمو فوتونیک، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران
doi
چکیده
در فرآیند تکثیر چند اکسیتون، جذب یک فوتون در شرایط معین میتواند به تولید بیش از یک اکسیتون منجر شود و در نتیجه بازده افزارهی جاذب نور را افزایش دهد. در این نوشتار با استفاده از روشی بس ذره ای، نتایج حاصل از شبیهسازی فرآیند تکثیر چند اکسیتون در نانوساختارهای مرکب سیلیکان-ژرمانیوم ارائه میشود. نتایج شبیهسازیها نشان میدهند افزایش تعداد اتمهای سیلیکان در نانوساختار باعث افزایش آستانهی تکثیرِ بیش از یک اکسیتون و نیز افزایش بیشنهی جذب نوری میشود.
