قطبش اسپینی و رسانش وابسته به اسپین در نانو نوار تک لایه زیگزاگ فسفرین در حضور میدان الکتریکی خارجی
نویسندگان
1 دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران
2 دانشگاه علم و صنعت ایران - دانشکده فیزیک
doi
چکیده
با استفاده از روش تابع گرین غیر تعادلی ترکیب شده با تکنیک لوپز سانچو، به تحلیل و بررسی ترابرد الکترونی وابسته به اسپین در نانونوار زیگزاگ فسفرینZPNR تک لایه در رژیم بالستیک پرداخته شده است. مطالعات نشان میدهد که رسانش اسپینی میتواند توسط یک میدان الکتریکی خارجی قابل کنترل که از طریق گیت و عمود بر کانال رسانش اعمال شده، تنظیم شود. به طور ویژه به شرایطی دست یافتهایم که این کانال فسفرین میتواند به عنوان یک تبدبل کنندهی اسپین ایفای نقش کند. به طوریکه باریکه اسپین بالای ورودی را تحت شرایط خاص به باریکه اسپین خروجی پایین تبدیل کند که از اهمیت بالایی در اسپینترونیک برخوردار است.
