تاثیر اندازه و موقعیت نقص روی اثر الکترواپتیک مربعی نقطه کوانتومی کروی GaN/AlGaN
نویسندگان
1 گروه فیزیک، واحد تبریز، دانشگاه آزاد اسلامی، تبریز، ایران
2 گروه فیزیک، واحد تبریز، دانشگاه آزاد اسلامی، تبریز، ایران
3 گروه نانوتکنولوژی پزشکی، دانشکده علوم نوین پزشکی، دانشگاه علوم پزشکی تبریز، تبریز، ایران
doi
چکیده
در این مقاله، یک نقطه کوانتومی کروی جدید برای افزایش و مدیریت پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم اثر الکترو اپتیک مربعی پیشنهاد شدهاست. این نانوساختار شامل پوسته نقص احاطه شده توسط دو چاه پتانسیل هست. اندازه نقطه کوانتومی، ضخامت، موقعیت و پتانسیل پوستهی نقص تاثیر زیادی روی پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم دارند. با حل عددی معادله شرودینگر در تقریب جرم موثر، پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم محاسبه شد. نتایج نشان میدهند با افزایش اندازه نقطهی کوانتومی پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم افزایش مییابد. همچنین با افزایش ضخامت پوستهی نقص پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم افزایش و طول موج تشدید انتقال به سرخ پیدا میکند. بیشترین مقدار پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم وقتی قابل حصول هست که در وضعیت متقارن موقعیت پوستهی نقص، پتانسیل نقص برابر پتانسیل پله شود.
