بررسی نظری عملکرد نانوساختارSnS2 بعنوان لایه بافر در سلول خورشیدی CuIn1-xGaxSe2 و مقایسه آن با CdS

نویسندگان
تقوی نیا, نیما ID 1
مهدوی, سید محمد ID 2
حقیقی, مریم ID 3
مین باشی, مهران ID 4
کردبچه, امیرحسین احمدخان ID 5

1 پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه صنعتی شریف، تهران

2 دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران

3 پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه صنعتی شریف، تهران

4 دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت، تهران

5 پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه صنعتی شریف، تهران

doi
چکیده

در این مقاله، ابتدا سلول خورشیدی CIGSe با نسبت مختلف Ga/Ga In بر اساس داده های تجربی با استفاده از نرم افزار SCAPS مدلسازی شده است. سپس، ترکیب SnS2 بعنوان بافری مناسب جهت حذف ترکیب سمی CdS مطرح شده است. با توجه به نتایج مدلسازی، SnS2 ماده ای بسیار مناسب جهت جایگزینی با ماده سمی CdS می باشد.

کلیدواژه‌ها
سلول خورشیدی CIGS(e), نرم افزار SCAPS, لایه بافر, لایه نانوساختار SnS2, خمش نوار رسانش