مقایسه خواص اپتوالکترونیکی لایه های نانوساختار ITO و In2O3 ،SnO جهت حسگری اتانول
نویسندگان
1 گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
2 گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
3 گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
doi
چکیده
چکیده:90% با استفاده از روش تبخیر حرارتی روی زیر In2O3 +10% SnO2 )ITO( و SnO2 ،In2O در این مقاله لایههای نازک 30/1 انتخاب شد. خواص nm/s 220 و nm لایههای شیشه انباشت شدند. ضخامت و آهنگ انباشت برای همه نمونهها به ترتیباپتیکی لایهها در دمای بازپخت ℃ 300 مورد بررسی قرار گرفت. در این مطالعه همه نمونههای بازپخت شده عبور بالایی درنشان داد. ضرایب شکست نمونههای مختلف SnO طیف نور مرئی از خود نشان دادند. بیشترین عبور (% 91 ( را لایه بازپختی 2خواص فیزیکی In2O به 3 SnO 1 به دست آمد. همچنین با افزودن ناخالصی 2 / 1 تا 92 / در طول موج 550 نانومتر در محدوده 88دارای ساختار بس بلورین ITO و In2O این لایهها مورد بررسی قرار گرفت. نتایج طیف پراش ایکس نشان میدهد لایههای 3نسبت به ITO و In2O3 ،SnO بوده و در ساختار مکعبی متبلور میشوند. در نهایت به منظور مقایسه حساسیت لایههای 2در SnO آشکارسازی بخار اتانول، به عنوان یکی از کاربرد مواد نیمرسانای شفاف پرداخته شده است. نتایج، حساسیت بالای 2را برای آشکارسازی بخار اتانول نشان میدهند.