فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مقاله یک تقویت کننده‌ی کم نویز فوق پهن‌باند با استفاده از تکنیک gm-boosting و روش حذف نویز ارائه شده است. در این طراحی، طبقه‌ی گیت مشترک و تقویت کننده‌ی کمکی در ورودی به عنوان طبقه‌یgm-boosting و طبقه‌ی دوم به منظور افزایش بهره و حذف نویز استفاده شده‌است. با توجه به بکارگیری همزمان Inductive Peaking سری و موازی در خروجی، پهنای باند و بهره این تقویت کننده بالاست به گونه‌ای که در بین کارهای پیشین، از مشخصات قابل قبولی برخوردار است. همچنین استفاده از فیلتر چبیچف در ورودی، باعث جذب خازن ورودی در فیلتر چبیچف شده در نتیجه S11 این تقویت کننده کمتر از -12dB در کل باند عبور است. علاوه بر این، کمترین عدد نویز این تقویت کننده 3.5dB است و با توجه به بکارگیری روش های Noise-Cancellation و gm‌‌-Boosting ضمن آن‌که میزان نویز در کل باند کاهش یافته، جریان و به تبع آن، توان مصرفی تقویت کننده هم پایین آمده است به‌طوری که توان مصرفی تنها 4.8mW در کل پهنای باند می‌باشد و عدد نویزتقویت کننده نیز کمتر از 5dB می‌باشد.این تقویت کننده در تکنولوژی 0.18µm CMOS طراحی شده است که نتایج حاصل از شبیه‌سازی؛ بهره‌ی ولتاژ17.5±1.5 dB در پهنای باند 2.212.2 GHz،