فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مقاله، یک ترانزیستور نانو سیم چند منظوره جهت پیاده سازی توابع منطقی NOT، NAND و NOR طراحی شده است. در این طراحی از یک نانوسیم سیلیسیومی با سطح مقطع(7nm×7nm) احاطه شده با اکسید سیلیسیوم ، استفاده شده است و روی آن اکسید، سه گیت مجزا قرار داده شده است. روش شبیه سازی بصورت حل خودسازگار معادلات شرودینگر-پواسن می باشد. نوع تابع منطقی بوسیله تغییر سطح ولتاژ گیت کنترلی و بدون تغییر سخت افزار و ساختار مداری تعیین می شود. با استفاده از این شبیه سازی، پتانسیل الکتریکی کانال، چگالی حامل ها و جریان الکتریکی افزاره محاسبه می شود. اثر هریک از گیت های ترانزیستور روی مشخصات الکتریکی این افزاره تحلیل و بررسی شده است. مقدار بهینه ناخالصی کانال برای متقارن بودن مشخصه توابع منطقی بدست آمده است. همچنین حاشیه های نویز محاسبه شده است. نتایج نشان می دهد که ترانزیستور طراحی شده می تواند موجب توسعه آینده مدارهای مجتمع گردد.