پمپ بار افزاینده DC بهینه یافته در تکنولوژی 180 نانومترCMOS مناسب برای کاربردهای راداری و شناسایی از طریق فرکانس‌های رادیویی

نویسندگان

1 استادیار، دانشکده مهندسی برق، واحد ساری، دانشگاه آزاد اسلامی، ساری، ایران

2 دانشجوی دکترا، دانشکده مهندسی برق، واحد ساری، دانشگاه آزاد اسلامی، ساری، ایران

3 استادیار، دانشکده مهندسی برق، واحد ساری، دانشگاه آزاد اسلامی، ساری، ایران

doi
چکیده

در این مقاله یک پمپ بار جدید در تکنولوژی CMOS طراحی و پیاده سازی شده است. با بکارگیری بایاس بدنه برای کاهش ولتاژ آستانه و کنترل ولتاژ با بکارگیری مدار مرجع ولتاژ، به مدار افزاینده ولتاژ DC به DC با راندمان بالا جهت تأمین ولتاژ ورودی در حد ۳۲۰ میلی ولت و ولتاژ خروجی بالای یک ولت دست یافته شده است. شبیه‌سازی های لازم انجام شده است تا بتوان مدار افزاینده ولتاژ پیشنهادی را در حالتی‌که نتایج نزدیک به نتایج ساخت باشد بتواند تحلیل شود. مشخصات حاکی از آن است که در مقایسه با کارهای انجام شده قبلی، از خازن‌های کوچکتر جهت کاهش مساحت مدار و همچنین ولتاژ خروجی بالا با بکارگیری حداقل تعداد ترانزیستور بهره برده شده است. نتایج شبیه‌سازی با خازن پمپ بار 25 پیکوفاراد در هر طبقه و فرکانس پالس ساعت 200 کیلوهرتز نشان می‌دهد که ولتاژ ورودی 350 میلی ولت در کمتر از 2 میلی ثانیه به 1.2 ولت می‌رسد. مدار پیشنهادی می‌تواند مناسب برای کاربردهای با توان مصرفی پایین و بکارگیری برداشت انرژی برای تامین ولتاژهای موردنیاز در مدارهای راداری و شناسایی از طریق فرکانس‌های رادیویی باشد.