کاهش سطح گلبرگهای فرعی در آنتنهای سهموی بازتابنده
نویسندگان
1 کارشناسی ارشد، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی، تهران، ایران
2 کارشناسی ارشد، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی، تهران، ایران
3 استادیار، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی، تهران، ایران
doi
چکیده
در سالهای اخیر تحقیقاتی در زمینه کاهش سطح گلبرگ فرعی (SLL) آنتنهای بازتابنده سهموی برای اهداف نظامی و غیر نظامی صورت گرفته است. در این تحقیقات از روشهای مختلف از جمله لبه دادن به آنتن بازتابنده، تغییر امپدانس صفحه در لبهها، قرار دادن قرص فلزی در سطح بازتابنده و یا عناصر تشدیدی و غیر تشدید در لبهها استفاده شده است. در این مقاله تأثیر فاصله کانونی و قطر آنتن بازتابنده سهموی بر کاهش سطح گلبرگ فرعی بررسی شده و بدون استفاده از ساختارهای پیچیده و پر هزینه، با استفاده از بهینه سازی ساختار اصلی آنتن کاهش گلبرگ فرعی محقق شده است. بسته به نیاز به بهره بیشینه، کوچکترین اندازه و یا کمترین سطح گلبرگ فرعی طراحی میتواند صورت گیرد. با توجه به هدف کمترین سطح گلبرگ فرعی، آنتن پیشنهادی در این مقاله دارای فرکانس کاری 5/12 گیگاهرتز، بهره dB 07/39، عمق λ ۹۶۷/۴ (Cm 9/11)، قطر λ ۲۴/۳۹ (Cm 11/94)، فاصله کانونی λ 375/19 (Cm 47/46) و سطح گلبرگ فرعی dB 91/44- و dB 5/43- بهترتیب در صفحات E و H است. این آنتن در فرکانسهای 5/6 و 5/18 گیگاهرتز، بهترتیب سطح گلبرگ فرعی 76/30- و 15/47- را داراست.