کاهش سطح گلبرگ‌های فرعی در آنتن‌های سهموی بازتابنده

نویسندگان

1 کارشناسی ارشد، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی، تهران، ایران

2 کارشناسی ارشد، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی، تهران، ایران

3 استادیار، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی، تهران، ایران

doi
چکیده

در سال­های اخیر تحقیقاتی در زمینه کاهش سطح گلبرگ فرعی (SLL) آنتن­های بازتابنده سهموی برای اهداف نظامی و غیر نظامی صورت گرفته است. در این تحقیقات از روش­های مختلف از جمله لبه دادن به آنتن بازتابنده، تغییر امپدانس صفحه در لبه­ها، قرار دادن قرص فلزی در سطح بازتابنده و یا عناصر تشدیدی و غیر تشدید در لبه­ها استفاده شده است. در این مقاله تأثیر فاصله کانونی و قطر آنتن بازتابنده سهموی بر کاهش سطح گلبرگ فرعی بررسی شده و بدون استفاده از ساختارهای پیچیده و پر هزینه، با استفاده از بهینه سازی ساختار  اصلی آنتن کاهش گلبرگ فرعی محقق شده است. بسته به نیاز به بهره بیشینه، کوچک‌ترین اندازه و یا کم‌ترین سطح گلبرگ فرعی طراحی می­تواند صورت گیرد. با توجه به هدف کم‌ترین سطح گلبرگ فرعی، آنتن پیشنهادی در این مقاله دارای فرکانس کاری 5/12 گیگاهرتز، بهره          dB 07/39، عمق λ ۹۶۷/۴ (Cm 9/11)، قطر λ ۲۴/۳۹ (Cm 11/94)، فاصله کانونی λ 375/19 (Cm 47/46) و سطح گلبرگ فرعی         dB 91/44- و dB 5/43- به­ترتیب در صفحات E و H است. این آنتن در فرکانس­های 5/6 و 5/18 گیگاهرتز، به­ترتیب سطح گلبرگ فرعی 76/30- و 15/47- را داراست.