تقویت‌کننده توان دوهرتی کلاس F با محدوده بازده-بالای افزایش یافته

نویسندگان

1 1دانشکده مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک

2 دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران

3 عضو هیات علمی گروه مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم تحقیقات

doi
چکیده

در این مقاله روش جدیدی برای دست‌یابی به محدوده بازده-بالای وسیع در تقویت‌کننده دوهرتی ارائه شده است. این تقویت‌کننده دوهرتی تنها از یک تقویت‌کننده اصلی و یک تقویت‌کننده کمکی استفاده می‌کند. به‌منظور افزایش محدوده بازده-بالای این تقویت‌کننده، دو ترانزیستور ناهمسان با تطبیق هارمونیکی تقویت‌کننده کلاس F با ساختار بار ترکیبی مختلط به‌عنوان تقویت‌کننده‌های اصلی و کمکی به‌کار گرفته شده‌اند. برای تأیید طرح ارائه شده، یک تقویت‌کننده توان دوهرتی با محدوده دینامیکی dB12 برای کاربرد WCDMA طراحی و ساخته شده است. نتایج اندازه‌گیری سیگنال بزرگ، بهره توان در حدود dB9/10 با بازدهی درین در حدود 66 % در محدوده بازده-بالای خروجی dB 12 را نشان می‌دهد. ارزیابی سیگنال دوفرکانسه نشان می‌دهد که اعوجاج مدولاسیون داخلی مرتبه سوم کمتر از dBc 5/21- است. همچنین، اندازه‌گیری موج مدوله شده بازدهی متوسط درین 5/56 % را نشان می‌دهد و نرخ توان نشتی کانال مجاور در توان خروجی dBm 5/31 در حدود dBc 26- است.